E4D20120G
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2
Beschrijving:
DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2
E4D20120G Specificatie
Product Kenmerk
Kenmerk Waarde
Reeks
E-Series, Automotive
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Current - Average Rectified (Io)
56A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 20 A
Speed
No Recovery Time >500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
200 μA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F
1474pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
TO-263-2
Operating Temperature - Junction
-55 ℃ ~ 175 ℃
E4D20120G Inventaris: 17760
5.0 / 5.0
2021-06-10 07:32
Recu in 89 dagen, strip, om te testen
2021-11-23 06:50
Alles ok, dank je!
2021-12-23 03:52
OK. Op tijd ontvangen
2021-02-06 23:42
Perfect ontvangen. Een eenheid op de bijbehorende printplaat gelast die perfect werkt om een defecte eenheid op een Arduino Nano-plaat te vervangen.
2021-08-04 23:28
2 weken voor levering. De chips werken prima
France
