CAB008M12GM3
Active - 1200V 2B HALF-BRIDGE
Beschrijving:
1200V 2B HALF-BRIDGE
CAB008M12GM3 Specificatie
Product Kenmerk
Kenmerk Waarde
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 150A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 46mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
472nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 800V
Operating Temperature
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
-
CAB008M12GM3 Inventaris: 5260
5.0 / 5.0
2021-06-10 07:32
Recu in 89 dagen, strip, om te testen
2021-11-23 06:50
Alles ok, dank je!
2021-12-23 03:52
OK. Op tijd ontvangen
2021-02-06 23:42
Perfect ontvangen. Een eenheid op de bijbehorende printplaat gelast die perfect werkt om een defecte eenheid op een Arduino Nano-plaat te vervangen.
2021-08-04 23:28
2 weken voor levering. De chips werken prima
France
