NTE109
Active - DIODE GEN PURP 100V 40MA DO7
Beschrijving:
DIODE GEN PURP 100V 40MA DO7
NTE109 Specificatie
Product Kenmerk
Kenmerk Waarde
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
100 V
Current - Average Rectified (Io)
40mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1 V @ 200 mA
Speed
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)
-
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 μA @ 50 V
Capacitance @ Vr, F
0.8pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
DO-204AA, DO-7, Axial
Supplier Device Package
DO-7
Operating Temperature - Junction
-65 ℃ ~ 90 ℃
NTE109 Inventaris: 37400
5.0 / 5.0
2021-12-31 23:06
Goed product en werken correct.
2021-07-09 02:45
Goed ontvangen, nog niet getest
2021-12-03 00:22
Ik bestel 10 stuks. Test nu drie chips en twee was ID 0x441, wat STM32F412 is, niet STM32F407. Ik ben erg teleurgesteld.
2021-12-27 06:22
De goederen zijn zeer tevreden, de verkoper Hartelijk dank.
2021-06-10 07:32
Recu in 89 dagen, strip, om te testen
United States
