IPP80R450P7XKSA1
Active - MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
IPP80R450P7XKSA1 Specificatie
Product Kenmerk
Kenmerk Waarde
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
770 pF @ 500 V
FET Feature
Super Junction
Power Dissipation (Max)
73W (Tc)
Operating Temperature
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
IPP80R450P7XKSA1 Inventaris: 35320
5.0 / 5.0
2021-08-02 07:24
Vilten markering op de verpakking niet erg leesbaar (verwarring mogelijk) ! Zonder dat, conformeren! Bedankt verkoper!
2021-08-12 12:06
IGBT-transistors niet gedetecteerd SA voor testerach naast plus t7-h, in tescie voor przelaczanie met-12V voor E plus zarowka gevoed 12V voor C getriggerde vinger met Plus, zalancza met-wylancza. Zeer snelle wysylka, snelle levering, product goed jakosci, zeer we
2021-12-31 23:06
Goed product en werken correct.
2021-07-09 02:45
Goed ontvangen, nog niet getest
2021-12-03 00:22
Ik bestel 10 stuks. Test nu drie chips en twee was ID 0x441, wat STM32F412 is, niet STM32F407. Ik ben erg teleurgesteld.
France
